| 发明名称 | 一种制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及纳米电子器件及纳米加工技术领域，公开了一种制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法，该方法包括：A.在半导体衬底上形成一层介电层；B.利用低能离子注入的方法将金属离子注入到所述介电层中；C.在惰性气体中对所述已经注入金属离子的介电层进行热退火处理，形成金属纳米晶，作为电荷存储的节点。然后，在介电层上执行形成栅电极和源、漏的工艺，制造完整的存储器晶体管。本发明工艺简单易行，成本低，效率高，具有与传统的硅平面CMOS工艺兼容的优点，有利于本发明的广泛推广和应用。 | ||
| 申请公布号 | CN101330008A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200710117613.3 | 申请日期 | 2007.06.20 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 管伟华;刘明;龙世兵;李志刚;胡媛 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/3115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法，其特征在于，该方法包括：A、在半导体衬底上形成一层介电层；B、利用低能离子注入的方法将金属离子注入到所述介电层中；C、在惰性气体中对所述已经注入金属离子的介电层进行热退火处理，形成金属纳米晶，作为电荷存储的节点。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||