应用于硅微加速度传感器的键合方法

摘要

本发明提供的是一种应用于硅微加速度传感器的键合方法。在采用平面IC工艺在两面制作有正面图形和背面图形的主芯片的两面溅射金属合金薄膜，通过光刻在两面的边缘区域形成金属共熔区；在制作有加速度传感器上盖图形的上盖的有图形面溅射金属合金薄膜，通过光刻在边缘区域形成金属共熔区；在制作有加速度传感器下盖图形的下盖的有图形面溅射金属合金薄膜，通过光刻在边缘区域形成金属共熔区；将制作的上盖、主芯片、下盖对准，在360℃-380℃温度下，并保温25-35分钟进行键合。本发明的方法可以消除硅微机械传感器键合高温键合引起掺杂的再分布，热膨胀带来的应力以及温度超过铝硅共晶点引起器件失效等问题。

主权项

1.一种应用于硅微加速度传感器的键合方法，其特征是：a.在采用平面IC工艺在两面制作有正面图形和背面图形的主芯片的两面溅射金属合金薄膜，通过光刻在两面的边缘区域形成金属共熔区；b.在制作有加速度传感器上盖图形的上盖的有图形面溅射金属合金薄膜，通过光刻在边缘区域形成金属共熔区；c.在制作有加速度传感器下盖图形的下盖的有图形面溅射金属合金薄膜，通过光刻在边缘区域形成金属共熔区；d.将制作的上盖、主芯片、下盖对准，在370℃温度下，并保温30分钟进行键合；所述的溅射的金属合金薄膜有三层，第一层为Cr金属，第二层为Cr-Si合金，第三层为Au金属，厚度分别为：Cr-0.1μm、Cr-Si合金-0.1μm、Au-0.5μm。