| 发明名称 | 在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法，该方法包括：在场效应管衬底上涂一层9912光刻胶，采用阴版光刻曝光后，将ZnO纳米线沉积到衬底上，不去胶，再涂一层9912光刻胶，再曝光，蒸发Ti/Au源漏金属，利用源漏pad金属将ZnO纳米线固定住，从而实现ZnO纳米线的固定。由于本发明采用了双层胶光刻技术，所以解决了ZnO纳米线场效应晶体管制备过程中纳米线从衬底脱落的问题，避免器件失效。 | ||
| 申请公布号 | CN101552203A | 申请公布日期 | 2009.10.07 |
| 申请号 | CN200810103227.3 | 申请日期 | 2008.04.02 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 付晓君;张海英;徐静波;黎明 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/368(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法，其特征在于，该方法包括：在场效应管衬底上涂一层9912光刻胶，采用阴版光刻曝光后，将ZnO纳米线沉积到衬底上，不去胶，再涂一层9912光刻胶，再曝光，蒸发Ti/Au源漏金属，利用源漏pad金属将ZnO纳米线固定住，从而实现ZnO纳米线的固定。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||