| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种CMOS图像传感器及其制造方法，可以防止光电二极管的损伤并提高象素的设计余量以降低象素尺寸。该CMOS图像传感器包括：形成于半导体衬底的绝缘区上的绝缘层；延伸并穿过绝缘区和有源区的一部分的栅极；形成于半导体衬底有源区上的光电二极管区；形成于栅极的两侧的绝缘侧壁；形成于栅极的顶层和邻接栅极的光电二级管区的部分表面上的金属硅化物层；电连接栅极到光电二极管区的金属层；以及形成于半导体衬底的整个表面上的电介质层。 | ||
| 申请公布号 | CN100547804C | 申请公布日期 | 2009.10.07 |
| 申请号 | CN200610163598.1 | 申请日期 | 2006.10.13 |
| 申请人 | 东部电子株式会社 | 发明人 | 全寅均 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 楼仙英 |
| 主权项 | 1.一种包括一个光电二极管和多个晶体管的CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器包括：形成于半导体衬底的绝缘区上的绝缘层，所述半导体衬底上定义了有源区和绝缘区；延伸并穿过有源区和绝缘层的一部分的栅极；形成于半导体衬底的有源区的一部分上的光电二极管区；形成于栅极两侧的绝缘侧壁；形成于栅极的顶层表面和与栅极相邻的光电二级管区的表面的一部分上的金属硅化物层；用于将栅极电连接到光电二极管区的金属层；以及形成于包括金属层和金属硅化物层的半导体衬底的整个表面上的电介质层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||