| 发明名称 | 钻石底半导体装置形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种钻石底半导体装置(200)及其形成方法，是提供一具有一介面表面(212)相反匹配钻石层(204)的装置表面(210)构造的模具(220)，之后将一被动钻石层(204)沉积于模具(220)的钻石介面表面(212)上，一基层(202)结合于该被动钻石层(204)的形成面(222)上，至少去除一部分模具(220)来外露钻石的装置表面(210)，其与模具钻石介面表面的构造是相反对应，该模具(220)可由合适的半导体材料形成，其进一步削薄以制造最终装置，选择性地，该半导体材料可在去除模具(220)后结合至该钻石层(204)。 | ||
| 申请公布号 | CN100547722C | 申请公布日期 | 2009.10.07 |
| 申请号 | CN200580023409.4 | 申请日期 | 2005.05.12 |
| 申请人 | 宋健民 | 发明人 | 宋健民 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L31/0312(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿 宁 |
| 主权项 | 1、一种制造钻石底半导体装置的方法，其特征在于包括如下步骤：a)提供一模具，其具有一介面表面相反匹配于钻石底半导体装置的装置表面构造；b)在模具上运用气相沉积技术形成一被动钻石层，该被动钻石层相对于该装置表面具有一形成面；c)去除至少一部分模具；和d)在该被动钻石层的装置表面结合一半导体层。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北县淡水镇中正路32巷4号 | ||