N型Ⅲ族氮化物半导体叠层结构

摘要

本发明的一个目的为提供一种在最上表面中产生很少龟裂和凹坑的具有优良平坦度的低电阻n型III族氮化物半导体叠层结构。本发明的n型III族氮化物半导体叠层结构包括第一n型层和第二n型层，所述第一n型层包括含有高浓度n型杂质原子的层和含有低浓度n型杂质原子的层，所述第二n型层含有平均浓度低于所述第一n型层的n型杂质原子的平均浓度的n型杂质原子，所述第二n型层邻近所述第一n型层中的所述含有低浓度n型杂质原子的层。

主权项

1.一种III族氮化物半导体发光器件，在衬底上具有包括III族氮化物半导体的发光层，并在所述衬底与所述发光层之间具有n型III族氮化物半导体叠层结构，所述n型III族氮化物半导体叠层结构包括第一n型层和第二n型层，所述第一n型层包括含有高浓度n型杂质原子的层和含有低浓度n型杂质原子的层，所述第二n型层含有平均浓度低于所述第一n型层的n型杂质原子的平均浓度的n型杂质原子，所述第二n型层邻近所述第一n型层中的所述含有低浓度n型杂质原子的层，其中，所述第一n型层构成n接触层，其中所述高浓度n型杂质原子的浓度为5×1017cm-3至5×1019cm-3，以及所述低浓度n型杂质原子的浓度等于或小于2×1019cm-3，所述高浓度n型杂质原子的浓度大于所述低浓度n型杂质原子的浓度，所述第一n型层的所述含有高浓度n型杂质原子的层和所述含有低浓度n型杂质原子的层为同一组成的III族氮化物半导体。