| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，包括：硅衬底，其具有用于将所述硅衬底焊接到陶瓷衬底上的表面；和电极，其与所述硅衬底的所述表面进行接触。所述电极包括：第一导体层、第二导体层和第三导体层。第一导体层与所述硅衬底的所述表面进行接触，并包括铝和硅。第二导体层与第一导体层进行接触，并包括钛。第三导体层通过第二导体层而与第一导体层分离，并包括镍。 | ||
| 申请公布号 | CN100547807C | 申请公布日期 | 2009.10.07 |
| 申请号 | CN200710110869.1 | 申请日期 | 2007.06.12 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社;株式会社爱发科 | 发明人 | 水野义人;纪国雅宏;小池伸二;松本昌弘;柳堀文嗣 |
| 分类号 | H01L29/43(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/43(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 柳春雷 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：硅衬底，其具有用于将所述硅衬底焊接到陶瓷衬底上的表面；和电极，其与所述硅衬底的所述表面进行接触，其中所述电极包括：第一导体层，其与所述硅衬底的所述表面进行接触，并包括铝和硅；第二导体层，其与所述第一导体层进行接触，并包括钛；和第三导体层，其通过所述第二导体层而与所述第一导体层分离，并包括镍。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||