背面到正面的通道工艺

摘要

一种在包含邻接衬底的掺杂半导体材料的半导体芯片上所执行的方法，该方法包含：创建至少穿透部分衬底的第一通道，所述通道朝向所述掺杂半导体材料，从所述衬底的外侧延伸到所述衬底中，所述第一通道具有壁表面和底部；将第一导电材料引入所述第一通道中，从而创建导电通路；创建与所述第一通道对齐的第二通道，所述通道从所述半导体芯片的掺杂部分的外表面延伸到所述底部；以及将第二导电材料引入到所述第二通道中，从而创建导电通路。

主权项

1.一种在包含邻接衬底的掺杂半导体材料的半导体芯片上所执行的方法，其特征在于，所述方法包含：a)创建至少穿透部分衬底的第一通道，所述通道朝向所述掺杂半导体材料，从所述衬底的外侧延伸到所述衬底中，所述第一通道具有壁表面和底部；b)将第一导电材料引入所述第一通道中，从而在所述衬底的外侧和底部之间创建导电通路；c)在“b)”之后，创建与所述第一通道对齐的第二通道，所述通道从所述半导体芯片的掺杂部分的外表面延伸到所述底部；以及d)将第二导电材料引入到所述第二通道中，从而创建导电通路，所述导电通路从所述衬底的外侧延伸到所述半导体芯片参杂部分的外表面。