薄膜晶体管

摘要

本发明涉及半导体器件的一种制造方法，其特征在于，它包括下列步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成一层晶体半导体膜；在所述晶体半导体膜上通过利用四乙氧基硅烷形成包括二氧化硅的栅绝缘膜；形成邻近所述晶体半导体膜的栅电极，其中所述栅绝缘膜插入在所述晶体半导体膜和所述栅电极之间，所述栅电极包括从由钽、钛、钨、钼和硅组成的组中选取的一种材料；以及通过所述栅绝缘膜向所述晶体半导体膜中引入杂质元素，从而在所述晶体半导体膜中形成至少一个杂质区。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：形成在绝缘表面上的结晶硅半导体膜；形成在所述结晶硅半导体膜中的沟道区；以及形成在所述结晶硅半导体膜中的源区和漏区，所述沟道区插入所述源区和所述漏区之间，所述源区和所述漏区中的每一个具有相同的导电型，其中所述结晶硅半导体膜包含用于促进硅结晶的催化元素，其中所述催化元素的浓度不高于1×1020原子/立方厘米，以及其中所述沟道区中的催化元素的浓度低于1×1017原子/立方厘米，并且所述沟道区中的催化元素的浓度低于所述源区和所述漏区中的催化元素的浓度。