| 发明名称 | 利用磁致电阻效应的相变存储器及其制造和操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种利用磁致电阻效应的相变存储器以及操作和制造这样的相变存储器的方法。该相变存储器包括：衬底；开关元件，形成在该衬底中；以及存储节点，连接到该开关元件，该存储节点包括：下电极，连接到该开关元件；第一相变层，形成在该下电极上；磁致电阻层，形成在该第一相变层上；第二相变层，形成在该磁致电阻层上；以及上电极，形成在该第二相变层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1945740B | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
| 申请号 | CN200610141578.4 | 申请日期 | 2006.09.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 卢振瑞;朴泰相 |
| 分类号 | G11C11/56(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种相变存储器，包括：衬底；开关元件，形成在该衬底中；以及存储节点，连接到该开关元件，该存储节点包括：下电极，连接到该开关元件；第一相变层，形成在该下电极上；磁致电阻层，形成在该第一相变层上；第二相变层，形成在该磁致电阻层上；以及上电极，形成在该第二相变层上，其中该磁致电阻层包括：第一磁层，设置于所述第一相变层上；非磁层，设置于所述第一磁层上；以及第二磁层，设置于所述非磁层上，且具有比所述第一磁层更大的矫顽力。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||