| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法。在一半导体衬底上，依次形成氧化硅层，多晶硅层，金属硅化物层和氮化硅层；通过光刻将栅极图案转移到所述膜层上形成栅极；对形成的栅极进行高温退火处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101079376B | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
| 申请号 | CN200610026761.X | 申请日期 | 2006.05.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 吴金刚;高关且;高大为;罗飞 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，该方法包括：提供一个半导体衬底；在所述衬底上形成氧化硅层；在所述氧化硅层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成金属硅化物层；在所述金属硅化物层上形成氮化硅层；光刻并刻蚀所述氮化硅层，金属硅化物层，多晶硅层和氧化硅层，形成栅极结构；刻蚀完所述氮化硅层、金属硅化物层、多晶硅层和氧化硅层之后，在氮气环境下对所述栅极结构的金属硅化物层执行退火工艺；其中，所述退火温度是900～1100摄氏度，退火时间是20～30秒。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||