发明名称 具有半导体元件的显示器件及其制造方法
摘要 根据本发明的一个特征,用有机试剂涂覆至少被部分栅极或者布线叠盖的绝缘膜表面的区域;通过液滴排放方法,在绝缘膜表面中的从涂覆了有机试剂并残留的区域到没有涂覆有机试剂的区域的范围内,排放其中导体微粒分散在有机溶剂中的流体。涂覆有机试剂以改善绝缘膜表面中流体的湿润性,以及通过凹入弯曲形成通过在其间插入曲线的彼此相邻的源极和漏极的每端的其中一端,并且通过凸起弯曲形成另一端。
申请公布号 CN1755943B 申请公布日期 2010.05.12
申请号 CN200510092081.3 申请日期 2005.08.19
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 前川慎志
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I 主分类号 H01L29/78(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 王岳;梁永
主权项 一种制造显示器件的方法,包括步骤:在衬底上形成栅极;在所述栅极上形成绝缘膜;用有机试剂涂覆所述绝缘膜表面中至少与部分所述栅极叠盖的区域;通过液滴排放方法在涂覆并残留有机试剂的区域以及所述绝缘膜中没有涂覆有机试剂的区域中排放流体,在所述流体中颗粒尺寸是大于等于1nm且小于等于100nm的导电微粒分散在有机溶剂中;焙烧和淬火所述流体以形成源极和漏极;以及形成半导体膜以便和所述源极、所述漏极以及夹在所述源极和漏极之间的曲线中的所述绝缘膜接触,其中,和所述没有涂覆有机试剂的区域相比,涂覆有机试剂以便改善所述绝缘膜表面中的流体的湿润性。
地址 日本神奈川县