具有屏蔽电极的半导体器件及其方法

摘要

在一个实施方案中，半导体器件被形成在半导体材料的本体中。此半导体器件包括分隔于沟道区的屏蔽电极。

主权项

一种半导体器件，其特征在于包含：具有主表面的衬底，其中，衬底包含第一导电类型；形成且覆盖在部分主表面上的基座结构，所述基座结构具有与所述主表面垂直的侧面；沿基座结构的所述侧面设置以限定半导体器件第一导电电极的边沿的导电材料；形成在第一导电电极附近的并在所述主表面附近的第二导电类型的第一掺杂区，其中，当半导体器件工作时，部分第一掺杂区构成沟道区；形成在第一掺杂区中的第一导电类型的第一电流承载区；以及形成在所述衬底中并与所述第一掺杂区横向隔开地形成的屏蔽电极，所述衬底的一部分在所述主表面处位于所述第一掺杂区与所述屏蔽电极之间，所述屏蔽电极的特征在于包含：形成在所述主表面中的沟槽，形成在所述沟槽的表面上方的介质层，以及形成在所述介质层上方的导电层。