发明名称 |
用于改善微流体装置之流体流量的方法、喷墨头晶片、制造微流体喷出装置的方法及用于喷墨头的矽半导体基板 |
摘要 |
本发明揭示一种改善其中具有一穿通孔或狭长孔之一微流体装置之流体流量的方法。该方法包括以下步骤:利用一反应离子蚀刻程序形成通过一基板之一第一表面至一对面第二表面之至少部分厚度的一或多个开口,藉此在交替的蚀刻及钝化步骤期间,在蚀刻通过该基板之至少一部分的该等开口时,将一蚀刻停止层涂到该一或多个开口的侧壁表面。利用选自化学处理及机械处理之一方法处理该等侧壁表面,即可从该等侧壁表面移除实质上所有该蚀刻停止层涂布,藉此相对于含有该蚀刻停止层涂布之侧壁表面的表面能,可增加该已处理之侧壁表面的表面能。 |
申请公布号 |
TWI324555 |
申请公布日期 |
2010.05.11 |
申请号 |
TW093133700 |
申请日期 |
2004.11.04 |
申请人 |
利盟国际股份有限公司 |
发明人 |
卡堤克 维迪斯华伦;安竹L 麦克尼斯;约翰W 夸吉克;詹姆士M 马沃斯;柯理N 海曼;马克L 多伊尔;杰森T 凡德普尔;吉瑞许S 派提尔;克里斯多福J 曼尼;盖瑞R 威廉斯;理察L 华纳 |
分类号 |
B41J2/015;B41J2/14;G01D15/00;H01L21/00 |
主分类号 |
B41J2/015 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种用于改善其中具有一穿通孔或狭长孔之一微流体装置之流体流量的方法,该方法包含以下步骤:利用一反应离子蚀刻程序形成通过一基板之一第一表面至一对面第二表面之至少部分厚度的一或多个开口,藉此在交替的蚀刻及钝化步骤期间,在蚀刻通过该基板之至少厚度部分的该等开口时,将一蚀刻停止层涂到该一或多个开口的侧壁表面;及利用选自化学处理及机械处理之一方法处理该等侧壁表面,即可从该等侧壁表面移除实质上所有该蚀刻停止层涂布,藉此相对于含有该蚀刻停止层涂布之侧壁表面的表面能,可增加该已处理之侧壁表面的表面能。 |
地址 |
美国 |