发明名称 |
闪存单元熔丝电路和熔断闪存单元的方法 |
摘要 |
一种闪存单元熔丝电路包括熔丝单元阵列、多个开关电路、和多个熔丝读出放大器。该熔丝单元阵列在编程或擦除操作之后响应于字线使能信号而输出第一信号。所述开关电路响应于复位信号和字线使能信号之一而使第一信号之一通过。所述熔丝读出放大器的每个通过检测和放大对应开关电路的输出信号而生成熔断信号。 |
申请公布号 |
CN100547686C |
申请公布日期 |
2009.10.07 |
申请号 |
CN200610006048.9 |
申请日期 |
2006.01.24 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
方薰振;金奎泓 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01)I;G11C17/18(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
李芳华;邸万奎 |
主权项 |
1.一种闪存单元熔丝电路,包括:熔丝单元阵列,被配置成在编程或擦除操作之后响应于字线使能信号而输出第一信号;多个开关电路,被配置成通过对复位信号和字线使能信号之一执行与操作而输出第二信号并响应于该第二信号而使第一信号之一通过;以及多个熔丝读出放大器,其每个被配置成通过检测和放大对应开关电路的输出信号而生成熔断信号。 |
地址 |
韩国京畿道 |