沟道蚀刻薄膜晶体管

摘要

本发明提供了一种沟道蚀刻薄膜晶体管，该沟道蚀刻薄膜晶体管具有：栅极，其位于基板的上方；栅极绝缘膜，其在所述栅极和所述基板的上方延伸；有源层，其包括沟道区，该沟道区位于所述栅极绝缘膜的上方；源区和漏区，其位于所述有源层上；源极，其与所述源区连接，且所述源极包括：源极主部，其与所述源区接触，以及源极引线部，其从所述源极主部延伸；以及漏极，其与所述漏区连接，且所述漏极包括：漏极主部，其与所述漏区接触，以及漏极引线部，其从所述漏极主部延伸；其中，所述源极和所述漏极中的至少一个通过层间绝缘体与所述有源层的侧壁分离。

主权项

1. 一种沟道蚀刻薄膜晶体管，包括：栅极，其位于基板的上方；栅极绝缘膜，其在所述栅极和所述基板的上方延伸；有源层，其包括沟道区，该沟道区位于所述栅极绝缘膜的上方；源区和漏区，其位于所述有源层上；源极，其与所述源区连接，且所述源极包括：源极主部，其与所述源区接触，以及源极引线部，其从所述源极主部延伸；以及漏极，其与所述漏区连接，且所述漏极包括：漏极主部，其与所述漏区接触，以及漏极引线部，其从所述漏极主部延伸；其中，所述源极和所述漏极中的至少一个通过层间绝缘体与所述有源层的侧壁分离，所述层间绝缘体覆盖沟道蚀刻部分，并且在漏极侧电极与侧壁不接触，其中，所述源极主部和所述漏极主部中的各方均采用金属构成，且所述源区和漏区位于比所述有源层的外端更靠近内侧。