半导体装置

摘要

提供一种由使用了SGT的高集成且高速的至少两级以上的CMOS反相器耦合电路构成的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置由将n个(n为2以上)CMOS反相器耦合而成的CMOS反相器耦合电路构成，n个反相器各自具有pMOS SGT、nMOS SGT、以将pMOS SGT的栅极与nMOS SGT的栅极连接的方式进行布线的输入端子、以将pMOS SGT的漏极扩散层与nMOS SGT的漏极扩散层在岛状半导体下部层上连接的方式进行布线的输出端子、布线在pMOS SGT的源极扩散层上的pMOS SGT用的电源供给布线、以及布线在nMOS SGT的源极扩散层上的nMOS SGT用的电源供给布线，将第n-1个的输出端子与第n个的输入端子进行连接。

主权项

1.一种半导体装置，具备将n个(n为2以上)CMOS反相器耦合而成的CMOS反相器耦合电路，其特征在于，上述n个CMOS反相器各自具有：第一导电型沟道的第一MOS晶体管，其具有漏极、栅极、源极被配置在衬底的垂直方向上、且栅极包围岛状半导体层的构造；与上述第一导电型沟道不同的第二导电型沟道的第二MOS晶体管，其具有漏极、栅极、源极被配置在衬底的垂直方向上、且栅极包围岛状半导体层的构造；CMOS反相器的输入端子，其以将上述第一MOS晶体管的栅极与上述第二MOS晶体管的栅极相互连接的方式进行布线；CMOS反相器的输出端子，其以将上述第一MOS晶体管的漏极扩散层与上述第二MOS晶体管的漏极扩散层在岛状半导体下部层上相互连接的方式进行布线；上述第一MOS晶体管用的电源供给布线，其被布线在上述第一MOS晶体管的源极扩散层上；以及上述第二MOS晶体管用的电源供给布线，其被布线在上述第二MOS晶体管的源极扩散层上，其中，上述半导体装置还具有连结部，该连结部用于在对衬底排列上述n个CMOS反相器的各个时，将第n-1个CMOS反相器的输出端子与第n个CMOS反相器的输入端子进行连接，该连结部被配置在衬底与上述第一MOS晶体管用的电源供给布线之间。