发明名称 Erweiterungselektrode einer Plasmaschrägkantenätzvorrichtung
摘要 Obere Erweiterungselektrode für eine Plasmaschrägkantenätzvorrichtung, die bei einer Halbleitersubstratverarbeitung verwendet wird, wobei das Plasma eine Nebenproduktablagerung von einer Schrägkante eines Halbleitersubstrats entfernt, wobei die Erweiterungselektrode umfasst: einen ringförmigen Körper mit einer äußeren Peripherie, einer inneren Peripherie, eine Montageoberfläche und eine zum Plasma hin freiliegende kegelstumpfartige Oberfläche, die sich von der äußeren Peripherie zur inneren Peripherie erstreckt, wobei sich die Erweiterungselektrode betreiben lässt, um während eines Reinigens der Schrägkante des Halbleitersubstrats in der Schrägkantenätzvorrichtung ein Plasma zu erzeugen.
申请公布号 DE202011002844(U1) 申请公布日期 2011.06.09
申请号 DE201120002844U 申请日期 2011.02.17
申请人 LAM RESEARCH CORPORATION (DELAWARE CORPORATION) 发明人
分类号 H01J37/36;H01L21/306 主分类号 H01J37/36
代理机构 代理人
主权项
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