发明名称 光学临近效应修正的建模方法及测试图形的形成方法
摘要 本发明涉及一种光学临近效应测试图形的形成方法,包括:将每一层次原始的测试图形进行放大后得到放大图形;将所述原始的测试图形和放大后的图形光刻到掩膜版上,分别形成原始图形区域和放大图形区域;将所述掩膜版上的原始图形区域和放大图形区域光刻到晶圆上。本发明还涉及一种采用上述方法形成的测试图形的基于模型的光学临近效应修正的建模方法。本发明真实地模拟出在实际工艺中栅氧化层覆盖在有源区层上的情况,如实地反映栅氧化层与有源区层之间重叠光刻的光学临近效应,在晶圆上光刻得到的图形质量非常好,因此能进行高质量的光学临近效应修正。
申请公布号 CN102087469A 申请公布日期 2011.06.08
申请号 CN200910188707.9 申请日期 2009.12.03
申请人 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 发明人 黄旭鑫;王谨恒;张雷
分类号 G03F1/14(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G03F1/14(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 何平
主权项 一种光学临近效应测试图形的形成方法,包括如下步骤:S10,将每一层次原始的测试图形进行放大后得到放大图形;S20,将所述原始的测试图形和放大图形光刻到掩膜版上,分别形成原始图形区域和放大图形区域;S30,将所述掩膜版上的原始图形区域和放大图形区域光刻到晶圆上。
地址 214000 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号