| 发明名称 | MOS晶体管电阻器、滤波器及集成电路 | ||
| 摘要 | MOS晶体管电阻器具备：作为电阻器而使用的第一MOS晶体管(M1)；与所述第一MOS晶体管的源极连接，施加输入电压(Vin)的输入电压源(1)；和与所述第一MOS晶体管的栅极连接，施加栅极电压(Vg)的栅极电压源(6)。栅极电压(Vg)及输入电压(Vin)被设定到第一MOS晶体管的栅-源间电压及源-漏间电压使第一MOS晶体管在非饱和区域动作的范围，同时，栅极电压(Vg)及输入电压(Vin)被设定为满足第一MOS晶体管的电阻值的温度特性为一定的条件的关系。能够降低由制造上的参差不齐引起的漏电流的变化导致的电阻值的变动，并且能够得到良好的温度特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102089971A | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200980126904.6 | 申请日期 | 2009.07.07 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 小屉正之;政井茂雄;小林仁;山崎秀哉 |
| 分类号 | H03H11/24(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H03H11/04(2006.01)I | 主分类号 | H03H11/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 杨谦;胡建新 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管电阻器，其特征在于，具备：第一MOS晶体管，作为电阻器来使用；输入电压源，与所述第一MOS晶体管的源极连接，施加输入电压Vin；以及栅极电压源，与所述第一MOS晶体管的栅极连接，施加栅极电压Vg；所述栅极电压Vg及所述输入电压Vin被设定到所述第一MOS晶体管的栅‑源间电压及源‑漏间电压使所述第一MOS晶体管在非饱和区域动作的范围，并且所述栅极电压Vg及所述输入电压Vin被设定为满足所述第一MOS晶体管的电阻值的温度特性为一定的条件的关系。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||