发光二极管

摘要

一种发光二极管(10)具有主光提取表面并包括具有半导体层(130至135)的化合物半导体层(13)、在所述化合物半导体层中包含的发光部分(12)、在所述发光部分中包含的发光层(133)、被接合到所述化合物半导体层的透明衬底(14)、以及在与所述透明衬底相对的侧上的所述主光提取表面上形成的极性相反的第一和第二电极(15、16)。在通过去除所述半导体层(132至134)而暴露的化合物半导体层的一部分上的位置处形成所述第二电极，并且所述第二电极具有由所述半导体层包围的其周边。所述主光提取表面具有最大宽度为0.8mm或更大的外部形状。

主权项

一种发光二极管，具有主光提取表面并包括：化合物半导体层，其包括半导体层；发光部分，其被包含在所述化合物半导体层中；发光层，其被包含在所述发光部分中；透明衬底，其被接合到所述化合物半导体层；以及相反极性的第一电极和第二电极，形成在与所述透明衬底相对的侧上的所述主光提取表面上；其中所述第二电极被形成在通过去除所述半导体层而暴露的所述化合物半导体层的一部分上的位置处并具有由所述半导体层包围的周边；以及其中所述主光提取表面具有这样的外部形状，所述外部形状具有0.8mm或更大的最大宽度。