| 发明名称 | 离子注入工艺中的基片背面注入方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种离子注入工艺中的基片背面注入方法，包括如下步骤：(1)对基片的正面进行贴膜；(2)将基片反转倒置，调整离子注入机的搬送机制；(3)应用离子注入机进行基片的背面注入；(4)注入后的基片进行反转和剥膜，完成背面注入的基片。该方法通过正面贴膜工艺，调整离子注入机的搬送机制，成功实现了基片的背面注入，该方法具有较高的可操作性和生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102087956A | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200910201910.5 | 申请日期 | 2009.12.08 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 朱伟诚;郑刚;施向东 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种离子注入工艺中的基片背面注入方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)对基片的正面进行贴膜；(2)将基片反转倒置，调整离子注入机的搬送机制；(3)应用离子注入机进行基片的背面注入；(4)注入后的基片进行反转和剥膜，完成背面注入的基片。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||