| 发明名称 | 集成电路电感及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种集成电路电感，包括：半导体衬底；半导体衬底上的介电层，所述介电层中形成有介电层空腔，介电层空腔深度小于介电层厚度；介电层上形成有集成电路电感，所述集成电路电感的位置与位于介电层中介电层空腔位置相对应。相应的，本发明还提供了一种集成电路电感的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层，所述介电层中形成有牺牲层，所述牺牲层厚度小于介电层的厚度；在介电层上形成集成电路电感，所述集成电路电感位置与牺牲层位置相对应；移除所述牺牲层，形成介电层空腔。所述介电层空腔可以降低集成电路电感下方介电材料的介电系数，减小寄生电容，从而提高了集成电路电感的品质因子。 | ||
| 申请公布号 | CN102087995A | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200910199994.3 | 申请日期 | 2009.12.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈真;林永锋;黄琳 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L27/01(2006.01)I;H01F37/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种集成电路电感的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层，所述介电层中形成有牺牲层，所述牺牲层厚度小于介电层的厚度；在介电层上形成集成电路电感，所述集成电路电感位置与牺牲层位置相对应；移除所述牺牲层，形成介电层空腔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||