发明名称 浸入微影系统用流体
摘要
申请公布号 TWI334515 申请公布日期 2010.12.11
申请号 TW095120876 申请日期 2006.06.12
申请人 奇梦达股份有限公司 发明人 法兰西斯 古德温;布莱恩 马丁尼克;斯特凡 布兰德
分类号 G03F7/20 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项 一种用于一浸入微影系统的流体,其可使该浸入微影系统免于放电伤害,该流体包括:-一第一成份:以及-一第二成份,其中该第二成份包括一不从该第一成份沈淀的物质,且该物质可改变该第一成份的阻抗。如申请专利范围第1项的流体,其中该第一成份包括一流体。如申请专利范围第1项的流体,其中该第一成份包括水、蒸馏水、去离子水或是经蒸馏的去离子水。如申请专利范围第1项的流体,其中该第二成份包括一气体。如申请专利范围第4项的流体,其中该第二成份包括二氧化碳、氧气、氮气、一含氮物质或是一含氧物质。如申请专利范围第1项的流体,其中该第二成份包括一液体或一固体。如申请专利范围第6项的流体,其中该第二成份包括过氧化氢或是氯化钠。如申请专利范围第1项的流体,其中该第二成份包括一种可减少该第一成份的阻抗的物质。如申请专利范围第8项的流体,其中该第二成份具有传导性。如申请专利范围第1项的流体,其中该第二成份是溶解在该第一成份中。一种浸入微影系统,其包含如申请专利范围第1项所述的流体。一种用于浸入微影系统的流体处理器,该流体处理器适合用来提供如申请专利范围第1项所述的流体。如申请专利范围第12项的流体处理器,其中该流体处理器包含一用来容纳该第二成份的贮存器、用以混合该第二成份与该第一成份或用以容纳该第一成份与该第二成份的一混合物的预先混合腔室,及/或用以将该第二成份注入至该第一成份的注入系统。一种形成用于一浸入微影系统的流体的方法,该流体可使该浸入微影系统免于放电伤害,该方法包括:-提供一第一成份;以及-将一第二成份引入至该第一成份,其中该第二成份包括一可改变该第一成份的阻抗的物质,且该物质不从该第一成份沈淀。如申请专利范围第14项的方法,其中提供该第一成份包括提供一流体,而其中引入该第二流体包括引入一气体、一液体或是一固体。如申请专利范围第14项的方法,其中引入该第二流体包括将该第二成份溶解于该第一成份中。如申请专利范围第14项的方法,更包括提供一腔室,并将该第一成份放置在该腔室中。如申请专利范围第17项的方法,更包括在将该第二成份引入至该第一成份时,对该腔室加压。如申请专利范围第14项的方法,其中引入该第二成份包括将该第二成份注入至该第一成份中,或将该第二成份与该第一成份进行预先混合。一种浸入微影系统,包括:-一平台,该平台适合用来支撑一半导体工作部件;-一投影镜头系统,其配置于靠近该平台,该投影镜头系统具有设置在其一端的一最后元件;-一浸入头,其配置于靠近该投影镜头系统的最后元件,该浸入头包括复数个通道,用以将一流体配置在该投影镜头系统的最后元件与该平台之间;以及-一流体处理器,用来提供该流体,其中该流体可使该浸入微影系统免于放电伤害并包括一第一成份与一第二成份,其中该第二成份包括一不从该第一成份沈淀的物质,且该物质可改变该第一成份的阻抗。如申请专利范围第20项的浸入微影系统,其中该流体处理器适合用来提供一第二成份,其包括二氧化碳、氧气、氮气、一含氮物质、一含氧物质、过氧化氢或是氯化钠。如申请专利范围第20项的浸入微影系统,其中在一曝光处理期间,该平台适合用来对于该投影镜头系统移动,其中在该曝光处理期间,该流体适合配置在该投影镜头系统的最后元件与该半导体工作部件之间。如申请专利范围第22项的浸入微影系统,其中一静电能量电位系透过该平台的移动所形成,而其中该流体则适合用来进行该静电能量的放电,以避免对该浸入头、该半导体工作部件造成伤害,以及如果该平台包含嵌入其中的至少一感应器时,避免对该至少一感应器造成伤害。一种浸入微影系统,包括:-一平台,该平台适合用来支撑一半导体工作部件;-一投影镜头系统,其配置于靠近该平台,该投影镜头系统具有设置在其一端的一最后元件;-一浸入头,其配置于靠近该投影镜头系统的最后元件,该浸入头包括复数个通道,用以将流体配置在该投影镜头系统的最后元件与该平台之间;以及-用于改变该流体的一阻抗的装置,其用于提供一第二成份,该第二成份包括一不从该流体沈淀的物质,且该物质可改变该流体的阻抗,从而该流体可使该浸入曝光工具免于放电伤害。一种用于半导体装置的微影方法,该方法包括:-提供一浸入曝光工具,其具有一晶圆支撑、一投影镜头系统、适合用来在该投影镜头系统与该晶圆支撑之间配置一流体的浸入头,以及靠近于该投影镜头系统的能量来源;-提供一工作部件,在其上则配置有一辐射敏感性材料;-在该晶圆支撑上定位该工作部件;-在该工作部件与该镜头系统之间配置该流体,该流体可使该浸入曝光工具免于放电伤害并包括一第一成份与一第二成份,其中该第二成份包括一不从该第一成份沈淀的物质,且该物质可改变该第一成份的阻抗;以及-将该工作部件的辐射敏感性材料以来自该能量来源的辐射进行曝光。如申请专利范围第25项的方法,其中配置该流体包括配置一包含第一成份的流体,该第一成份包括水、蒸馏水、去离子水或是经蒸馏的去离子水,且其中配置该流体包括配置一包含第二成份的流体,该第二成份包括二氧化碳、氧气、氮气、一含氮物质、一含氧物质、过氧化氢或是氯化钠。
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