| 主权项 |
一种绝缘膜形成方法，其特征在于：其系将形成有沟槽之被处理基板载置于生成有电浆之反应室，并将绝缘膜埋入前述沟槽者，且设含矽气体以外之含氢气体流量对前述含矽气体流量与含氧气体流量之和之比为第一流量比，前述含氧气体流量对前述含矽气体流量之比为第二流量比，相对于以由前述第一流量比与前述第二流量比所构成之线性关系所规定之临界条件，将设定第一流量比为大、第二流量比为小之流量条件作为丛集产生条件，在该丛集产生条件下，将含有前述含矽气体、前述含氧气体及前述含氢气体之处理气体导入前述反应室内；其后，相对于前述临界条件，将设定第一流量比为小、第二流量比为大之流量条件作为丛集抑制条件，在该丛集抑制条件下，将含有前述含氧气体、前述含矽气体及前述含氢气体中之至少一种之处理气体导入前述反应室内。如请求项1之绝缘膜形成方法，其中在前述丛集产生条件下导入前述处理气体时，将用于向前述被处理基板与前述电浆之间施加自偏压之第一偏压电力供给至前述被处理基板；在前述丛集抑制条件下导入前述处理气体时，将比前述第一偏压电力小之第二偏压电力供给至前述被处理基板。如请求项1之绝缘膜形成方法，其中设前述第一流量比为y、前述第二流量比为x，前述丛集产生条件满足y≧16x-18之条件，且前述丛集抑制条件满足y<16x-18之条件。如请求项1之绝缘膜形成方法，其中在前述丛集产生条件下导入前述处理气体之期间，前述绝缘膜以约50 nm以上，且约200 nm以下之膜厚成膜。如请求项1之绝缘膜形成方法，其中在前述丛集抑制条件下导入前述处理气体之时间为1秒以上，且为10秒以内。如请求项1之绝缘膜形成方法，其中前述丛集抑制条件系藉由从前述丛集产生条件增加前述含氧气体之流量而达成。如请求项1之绝缘膜形成方法，其中前述丛集抑制条件系藉由从前述丛集产生条件减少前述含氢气体之流量而达成。如请求项1之绝缘膜形成方法，其中前述丛集抑制条件系藉由从前述丛集产生条件增加前述含氧气体之流量，且减少前述含矽气体之流量而达成。如请求项1之绝缘膜形成方法，其中前述处理气体以前述丛集产生条件及前述丛集抑制条件交替地导入前述反应室。一种半导体装置之制造方法，其特征在于包含：在半导体基板形成沟槽；将前述半导体基板载置于生成有电浆之反应室中；及将藉由以下两步骤所形成之绝缘膜埋入前述沟槽，该两步骤系：设含矽气体以外之含氢气体流量对前述含矽气体流量与含氧气体流量之和之比为第一流量比，前述含氧气体流量对前述含矽气体流量之比为第二流量比，相对于以由前述第一流量比与第二流量比所构成之线性关系所规定之临界条件，将设定第一流量比为大、第二流量比为小之流量条件作为丛集产生条件，相对于前述临界条件，将设定第一流量比为小、第二流量比为大之流量条件作为丛集抑制条件，在前述丛集产生条件下，将含有前述含矽气体、前述含氧气体及前述含氢气体之处理气体导入前述反应室内之步骤；及其后，在前述丛集抑制条件下，将包含前述含氧气体、前述含矽气体及前述含氢气体中之至少一种之处理气体导入前述反应室内之步骤。如请求项10之半导体装置之制造方法，其中在前述丛集产生条件下导入前述处理气体时，将用于向前述半导体基板与前述电浆之间施加自偏压之第一偏压电力供给至前述半导体基板；在前述丛集抑制条件下导入前述处理气体时，将比前述第一偏压电力小之第二偏压电力供给至前述半导体基板。如请求项10之半导体装置之制造方法，其中设前述第一流量比为y、前述第二流量比为x，前述丛集产生条件满足y≧16x-18之条件，且前述丛集抑制条件满足y<16x-18之条件。如请求项10之半导体装置之制造方法，其中在前述丛集产生条件下导入前述处理气体之期间，前述绝缘膜以约50 nm以上，且约200 nm以下之膜厚成膜。如请求项10之半导体装置之制造方法，其中在前述丛集抑制条件下导入前述处理气体之时间为1秒以上，且为10秒以内。如请求项10之半导体装置之制造方法，其中前述丛集抑制条件系藉由从前述丛集产生条件增加前述含氧气体之流量而达成。如请求项10之半导体装置之制造方法，其中前述丛集抑制条件系藉由从前述丛集产生条件减少前述含氢气体之流量而达成。如请求项10之半导体装置之制造方法，其中前述丛集抑制条件系从前述丛集产生条件增加前述含氧气体之流量，且减少前述含矽气体之流量而达成。如请求项10之半导体装置之制造方法，其中前述处理气体系以前述丛集产生条件及前述丛集抑制条件交替地导入至前述反应室。如请求项10之半导体装置之制造方法，其中在将前述绝缘膜埋入前述沟槽之前，在形成有前述沟槽之半导体基板上涂布涂布型绝缘膜，选择性地将前述涂布型绝缘膜埋入前述沟槽之底部。一种电脑可读取之记录媒体，系记录有使控制电浆化学气相沉积装置之电脑执行如下两步骤之程式者，该两步骤系：设含矽气体以外之含氢气体流量对前述含矽气体流量与含氧气体流量之和之比为第一流量比，前述含氧气体流量对前述含矽气体流量之比为第二流量比，相对于以由前述第一流量比与前述第二流量比所构成之线性关系所规定之临界条件，将设定第一流量比为大、第二流量比为小之流量条件作为丛集产生条件，相对于前述临界条件，将设定第一流量比为小、第二流量比为大之流量条件作为丛集抑制条件时，在前述丛集产生条件下，将含有前述含矽气体、前述含氧气体及前述含氢气体之处理气体导入反应室内之步骤；及在前述丛集抑制条件下，将含有前述含氧气体、前述含矽气体及前述含氢气体中之至少一种之处理气体导入前述反应室内之步骤。 |
