| 主权项 |
一种用以研磨基板之研磨布，其特征为：在该研磨布之表面，形成具有放射状图案之沟，该沟之中，存在于该基板正下方之全部沟部分的总体积之平均值(位于基板正下方部分之沟体积之总和的平均值)，以(位于基板正下方之沟体积的总和之平均值(mm3)/基板的面积(mm2))来表示时，满足0.06以上且0.23以下之关系。一种用以研磨基板之研磨布，其特征为：在该研磨布之表面，形成具有放射状图案之沟，该沟是形成其位于比该基板更中心侧位置之沟部分的沟深度，比位于该基板正下方之沟部分的沟深度浅，在该沟的放射状图案的中央部，沟与沟重叠一起之交点未存在于该基板之正下方，且该沟的沟宽一定，沟与沟所夹的角度大于由下述数学式1所得到之数值：(数学式1)沟与沟所夹的角度=2×sin-1(沟宽/(2×(从研磨布中心至基板中心之距离-基板半径)))。如申请专利范围第1项所述之研磨布，其中该沟之沟宽一定，沟与沟所夹的角度大于由下述数学式1所得到之数值：(数学式1)沟与沟所夹的角度=2×sin-1(沟宽/(2×(从研磨布中心至基板中心之距离-基板半径)))。如申请专利范围第1项所述之研磨布，其中该沟之沟宽为2.0mm以下。如申请专利范围第2项所述之研磨布，其中该沟之沟宽为2.0mm以下。如申请专利范围第3项所述之研磨布，其中该沟之沟宽为2.0mm以下。如申请专利范围第1项所述之研磨布，其中该研磨布为不织布型或是绒面型。如申请专利范围第2项所述之研磨布，其中该研磨布为不织布型或是绒面型。如申请专利范围第3项所述之研磨布，其中该研磨布为不织布型或是绒面型。一种基板之制造方法，其特征为：使用申请专利范围第1至9项中任一项所述之研磨布来研磨基板。如申请专利范围第10项所述之基板之制造方法，其中该要进行研磨的基板系使用矽单结晶晶圆或是SOI晶圆。一种研磨布之加工方法，系在用以研磨基板之研磨布的表面形成沟，其特征为：该沟形成具有放射状图案，此时，该沟之中，存在于该基板正下方之全部沟部分的总体积之平均值(位于基板正下方部分之沟体积之总和的平均值)，以(位于基板正下方之沟体积的总和之平均值(mm3)/基板的面积(mm2))来表示时，满足0.06以上且0.23以下之关系。一种研磨布之加工方法，系在用以研磨基板之研磨布的表面形成沟，其特征为：该沟形成具有放射状图案，此时，其位于比该基板更中心侧位置之沟部分的沟深度，比位于该基板正下方之沟部分的沟深度浅，且在该沟之放射状图案的中央部，沟与沟重叠一起之交点未存在于该基板之正下方，且以沟与沟所夹的角度大于由下述数学式1所得到之数值的方式，来形成上述沟：(数学式1)沟与沟所夹的角度=2×sin-1(沟宽/(2×(从研磨布中心至基板中心之距离-基板半径)))。如申请专利范围第12项所述之研磨布之加工方法，其中，以沟与沟所夹的角度大于由下述数学式1所得到之数值的方式，来形成上述沟：(数学式1)沟与沟所夹的角度=2×sin-1(沟宽/(2×(从研磨布中心至基板中心之距离-基板半径)))。如申请专利范围第12项所述之研磨布之加工方法，其中该沟之沟宽为2.0mm以下。如申请专利范围第13项所述之研磨布之加工方法，其中该沟之沟宽为2.0mm以下。如申请专利范围第14项所述之研磨布之加工方法，其中该沟之沟宽为2.0mm以下。如申请专利范围第12项所述之研磨布之加工方法，其中该研磨布为不织布型或是绒面型。如申请专利范围第13项所述之研磨布之加工方法，其中该研磨布为不织布型或是绒面型。如申请专利范围第14项所述之研磨布之加工方法，其中该研磨布为不织布型或是绒面型。一种基板之制造方法，其特征为：使用藉由申请专利范围第12至20项中任一项所述之方法加工而成的研磨布来研磨基板。如申请专利范围第21项所述之基板之制造方法，其中该要进行研磨的基板系使用矽单结晶晶圆或是SOI晶圆。 |
