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一种控制一离子布植处理的方法，用以提供所想要的处理条件至一真空室中，其中该离子布植处理提供用于布植之一离子束，该离子布植处理包括复数个用来控制处理条件之可调整的处理参数，该方法包含以下的步骤：a)操作该离子布植处理用以产生该等处理条件于该真空室内，b)在该离子布植处理的操作期间，测量在该真空室内由该等处理条件所造成，且与该离子束被一起带入之污染微粒的通量，及c)调整该等处理参数中的至少一者，以回应该被测得之污染微粒通量，用以减少在该离子布植处理期间被测得之微粒通量。一种离子布植设备，包含：一真空室，该设备可操作以提供所想要的处理条件于该真空室中，该等所想要的处理条件可由复数个处理参数来控制，一离子束产生器，用以于该真空室内产生所想要之一离子束，用以沿着一离子束路径移动来实施布植，一微粒感测器，设在该真空室内，该微粒感测器可测量由该等处理条件所造成的污染微粒的通量，其中该微粒感测器系被设置及安排成可测量沿着该离子束路径流动之污染微粒的通量；及一控制器，其可回应该被测得的通量用以调整至少一该等处理参数，藉以降低所测得的通量。如申请专利范围第2项所述之设备，其中该离子束产生器包括一质量过滤器，用来将具有所不想要之质量-对-电荷比的离子从该离子束中移除掉，该设备进一步包括供该将被处理的半导体晶圆用之一固持件，且该微粒感测器被设置在可测量沿着介于该过滤器与该固持件之间之该离子束路径之通量的位置处。如申请专利范围第3项所述之设备，其中该设备进一步包括一加速/减速单元，用来调整来自该质量过滤器之离子束内的离子能量，且该微粒感测器被设置在可测量沿着介于该过滤器与该固持件之间之该离子束路径之通量的位置处。如申请专利范围第3或4项所述之设备，其中该设备进一步包含位在该固持件前方之一中和器，其可操作以降低位在该固持件上之一产品晶圆在布植期间的静电电荷，该中和器具有围在该离子束周围且在该晶圆固持件前方之一导引管，且该微粒感测器被设置在可测量沿着介于该过滤器与该固持件之间之该离子束路径之通量的位置处。如申请专利范围第2项所述之设备，其中该微粒感测器包含一框架结构，其界定一离子束孔于横切过该离子束路径之一平面上，该框架结构被安装在该真空室内且该离子束孔与该离子束路径对准，设在该框架内之一光源将该平面上的光线导引横越该离子束路径，及设在该框架结构内之一光感测器，用来侦测光讯号，该等光讯号为被来自该光源的光线所照射到之微粒的通量的指标。如申请专利范围第6项所述之设备，其中该光源产生一光束横越该离子束路径，且该框架结构包括一光束垃圾筒，位在与该光源相对处，用以接收及吸收该光束。如申请专利范围第6项所述之设备，其中该框架结构是可导电的，且被安装在该真空室内并处于一预定的电位。如申请专利范围第8项所述之设备，其中该框架结构被电性连接至该设备的一相邻的离子束孔。如申请专利范围第8项所述之设备，包括一安装件将该框架结构电性绝缘，及从该真空室出来之一电子导线，其提供一连结让一所想要的电位能够被施加至该框架结构。一种用来将离子布植到一半导体晶圆上之半导体元件制造设备，包含：一真空室，一离子束产生器，用来产生离子束于该真空室内用以沿着一离子束路径移动来实施布植，及一微粒感测器，设在该真空室内，其被设置及安排成可测量沿着该离子束路径流动之污染微粒的通量。 |
