| 主权项 |
一种蚀刻基底之方法，包括：(a)在一制程区域中放置一基底，其中该基底包括具有一厚度之一材料；(b)导入一蚀刻气体到该制程区域中；(c)提供能量给该蚀刻气体，以蚀刻该材料；以及(d)决定蚀刻该材料之一终点，系藉由：(i)从该基底反射一光线，该光线具有一波长，该波长被选择以在该基底的该材料中具有为该材料之厚度之1.5倍到4倍之一相干长度(coherent length)；以及(ii)侦测该反射光，以决定一基底蚀刻制程之一终点。如申请专利范围第1项所述之蚀刻基底之方法，更包括选择该波长，以在该基底的该材料中具有为该材料之厚度之2倍到3倍之一相干长度。如申请专利范围第1项所述之蚀刻基底之方法，其中包括依据一近似的比例：(相干长度)正比于(λ 2/△λ)来选择该波长，其中λ为该波长，而△λ为在该光线中波长之频宽。如申请专利范围第1项所述之蚀刻基底之方法，其中该基底的该材料包括，介于一图案化罩幕之多数个特征图案之间之多数个暴露区域，并且更包括选择该波长，以将一吸收差异极大化，其中该吸收差异为介于在该图案化罩幕中该光线之吸收与在该材料中该光线之吸收之间之一差异。如申请专利范围第1项所述之蚀刻基底之方法，其中包括选择该波长小于240nm。如申请专利范围第5项所述之蚀刻基底之方法，其中包括选择该波长在150nm到220nm之间。一种蚀刻基底之设备，包括：一腔体，该腔体包括一基底底座用以夹住一基底，其中该基底包括具有一厚度之一材料；一气体分布器，用以导入一蚀刻气体到该腔体；一气体能量源，用以提供能量给该蚀刻气体，以蚀刻该基底之该材料；一光源，用以从该基底反射一光线，其中该光线具有一波长与一相干长度，该波长被选择以在该基底中具有为该材料之厚度之1.5倍到4倍之一相干长度；一光线侦测器，用以侦测该反射光并产生相关于该反射光之一被测量强度之一信号；以及一控制器，用以估算该信号，以决定一基底蚀刻制程之一终点。如申请专利范围第7项所述之蚀刻基底之设备，其中该光源用以导入具有该波长之该光线，该波长被选择以具有为该基底的该材料之厚度之大约2倍到大约3倍之一相干长度。如申请专利范围第7项所述之蚀刻基底之设备，其中该光源用以导入具有该波长之该光线，其中包括依据一近似的比例：(相干长度)正比于(λ 2/△λ)来选择该波长，其中λ为该波长，而△λ为在该光线中波长之频宽。如申请专利范围第7项所述之蚀刻基底之设备，其中该光源用以导入具有波长小于240nm之该光线。如申请专利范围第10项所述之蚀刻基底之设备，其中该光源用以导入具有波长为150到220nm之该光线。如申请专利范围第7项所述之蚀刻基底之设备，其中该基底的该材料包括，介于一图案化罩幕之多数个特征图案之间之多数个暴露区域，其中该光源用以导入具有该波长之该光线，该波长被选择以将一吸收差异极大化，其中该吸收差异为介于在该图案化罩幕中该光线之吸收与在该材料中该光线之吸收之间之一差异。 |
