SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

摘要

본 발명의 일 양태에 따른 반도체 장치(1)는, 광이 입사하는 광 입사면(30b)과 포토다이오드부(30a)를 갖는 반도체 박막(30)과, 광 입사면(30b)의 반대측의 반도체 박막(30)의 표면의 상방에 형성되며, 볼록면(62a)을 갖는 중간층(62)과, 볼록면(62a)의 표면에 형성되며, 광을 포토다이오드부(30a)의 방향으로 반사하는 오목면(70a)를 갖는 오목면 반사층(70)을 구비한다.