动态随机存取记忆体及其制作方法

摘要

一种动态随机存取记忆体，其包括半导体基底、电容器以及电晶体。半导体基底上配置有多个柱状结构。各柱状结构由半导体基底起由下而上包括绝缘层、半导体层与半导体突出部。电容器包括下电极、上电极与电容介电层。下电极配置于柱状结构之间的间隙，且连接半导体基底。上电极配置于半导体层中。电容介电层则配置于下电极与上电极之间。电晶体包括闸极、第一掺杂区与第二掺杂区。闸极配置于半导体突出部侧壁。第一掺杂区配置于闸极下方之半导体突出部中，且耦接上电极。第二掺杂区配置于闸极上方之半导体突出部中。