具有电极之半导体装置及具有电极之半导体装置的制造方法

摘要

本发明之半导体装置的制造方法，系包含：介由控制闸极绝缘膜(4)形成控制闸极电极(5)之第1电极形成步骤；于半导体基板(1)的表面上形成记忆节点绝缘膜(6)的步骤。又包含：于记忆节点绝缘膜(6)的表面上形成记忆体闸极电极之第2电极形成步骤。第2电极形成步骤，系包含：于记忆节点绝缘膜(6)的表面上形成记忆体闸极电极层(7a)的步骤；于记忆体闸极电极层(7a)的表面上形成蚀刻速度较记忆体闸极电极层(7a)更慢之辅助膜(8)的步骤；及对记忆体闸极电极层(7a)及辅助膜，进行异方性蚀刻的步骤。