发明名称 用于被动积体装置之静电放电保护
摘要 本发明揭示用于积体被动装置(IPD)之静电放电(ESD)保护之方法及设备。该装置包含具有潜在地曝露于ESD暂态且由电荷泄漏电阻耦接之端子或其他元件的一或多个IPD(60),该等电荷泄漏电阻具有远较该等IPD在所关心之工作频率处之常规阻抗大的电阻值。当IPD建置于一半绝缘基板(61)上时,该IPD之各种元件由间隔分开之连接而耦接至该基板,以使该基板本身提供耦接该等元件之高阻值电阻,但此并非必要。当应用于IPD RF耦接器时,ESD容许度增加超过70%。本发明之配置亦可应用于主动装置及积体电路及应用于具有导电或绝缘基板之IPD。
申请公布号 TWI390705 申请公布日期 2013.03.21
申请号 TW095143972 申请日期 2006.11.28
申请人 飞思卡尔半导体公司 美国 发明人 艾尼 米特拉;达若G 希尔;卡锡克 拉加高博良;阿道夫C 雷斯
分类号 H01L27/01;H01L23/60;H02H9/04 主分类号 H01L27/01
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国