发明名称 低介电常数之介电膜的修复方法
摘要 一种设备、系统、及方法,用以修复低介电常数介电膜层中之碳耗尽的低介电常数材料,包含:辨认具有碳化氢族群之修复化学品,修复化学品系用以修复碳耗尽的低介电常数材料;及施加所辨认的修复化学品弯月面于低介电常数介电膜层,以使低介电常数介电膜层中之碳耗尽的低介电常数材料充分暴露于能够实质修复低介电常数材料之修复化学品弯月面中。此修复的低介电常数材料呈现与低介电常数膜层实质相同之低介电常数特性。
申请公布号 TWI414018 申请公布日期 2013.11.01
申请号 TW097105155 申请日期 2008.02.14
申请人 兰姆研究公司 美国 发明人 尹石敏;马克 威尔克逊;约翰M 德赖瑞厄斯
分类号 H01L21/3105;H01L21/02 主分类号 H01L21/3105
代理机构 代理人 许峻荣 新竹市民族路37号10楼
主权项
地址 美国
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