半导体装置之制造装置及半导体装置之制造方法

摘要

本发明之半导体装置之制造装置及半导体装置之制造方法，系以通过绝缘层之接触孔使N型及P型杂质扩散区域露出的方式将由绝缘层所覆盖的矽基板收容于成膜腔室内。然后，供给六氟化钨及单矽烷气体于成膜腔室内，以在N型及P型杂质扩散区域选择性地形成由钨所构成的薄膜。在进行此种成膜处理前，对成膜腔室供给单矽烷气体以使单矽烷气体吸附于N型及前述P型杂质扩散区域。之后，以超过成膜腔室内的单矽烷气体之分压的方式供给六氟化钨气体于成膜腔室，以执行成膜处理。