| 摘要 |
在III族氮化物发光装置中，包括发光层之装置层10系生长于设计成用以减低装置中之应变的模板之上，尤其系在发光层中。减低该发光装置中之应变可改良该装置的效能。该模板可使该发光层中之晶格常数扩展超过适用于用成长模板之晶格常数范围。应变系定义如下：一给定层具有对应于一组合物与该层相同的一独立材料之一晶格常数的一块体晶格常数abulk与对应于如生长于该结构中之该层之一晶格常数的一平面内晶格常数ain－plane。一层中的应变量系|(ain－plane－abulk)|/abulk。在一些具体实施例中，该发光层中的应变系少于1%。 |
