发明名称 封止材料形成方法
摘要
申请公布号 TWI481081 申请公布日期 2015.04.11
申请号 TW101100743 申请日期 2012.01.09
申请人 新韩钻石工业股份有限公司 发明人 黄东柱;金信京;崔英奎;石大洙
分类号 H01L33/48;H01L33/52;H01L33/56 主分类号 H01L33/48
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种封止材料形成方法,包括:嵌入空腔块配置步骤,将嵌入空腔块配置在基板上,所述嵌入空腔块具有树脂入口和成型空腔;树脂装载空间形成步骤,用来形成树脂装载空间,其正对所述嵌入空腔块的一侧被一层薄膜围绕着;将树脂装入所述树脂装载空间的步骤;封止材料形成步骤,使所述树脂装载空间的底部靠近所述嵌入空腔块,从而使被装入所述树脂装载空间内的所述树脂经由所述树脂入口来填充所述成型空腔;以及薄膜分离步骤,当所述树脂固化后,在残留于所述嵌入空腔块之表面的多余的固态树脂黏附在所述薄膜上的状态下,使所述薄膜从所述嵌入空腔块上分离并将其移除。
地址 南韩