| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
本发明提供一种较先前更能够抑制漏电流之半导体装置。;该半导体装置(22)具备：第1载子保有层(48)，其配置于下部电极(47)上而于第1界面(49)接触于下部电极(47)，且具有一方之多数载子；及第2载子保有层(57)，其配置于第1载子保有层(48)上而划分相对于第1载子保有层(48)形成导通路径之第2界面(58)，且具有另一方之多数载子。自与基板之表面正交之方向观察之俯视下，第1界面(49)于较第1载子保有层(48)之轮廓更内侧具有轮廓，且于上述俯视下第2界面(58)于较第1载子保有层(48)之轮廓更内侧具有轮廓。 |
| 申请公布号 |
TW201517255 |
申请公布日期 |
2015.05.01 |
| 申请号 |
TW103135407 |
申请日期 |
2014.10.13 |
| 申请人 |
精工爱普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION |
发明人 |
工藤学 KUDO, MANABU |
| 分类号 |
H01L27/14(2006.01);H01L31/10(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/14(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
|
| 地址 |
日本 JP |
