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DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PRESENTANT UNE REGION 2 ET UNE ZONE 4 A DOPAGE PLUS ELEVE, DE TYPES DE CONDUCTION OPPOSES, QUI CONFINENT TOUTES LES DEUX A UNE SURFACE PRINCIPALE 3 D'UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR 1 ET CONSTITUENT ENSEMBLE UNE JONCTION P-N 5, QUI SE TERMINE A LADITE SURFACE ET QUI FONCTIONNE SOUS UNE TENSION DE POLARISATION INVERSE DANS AU MOINS UN MODE DE FONCTIONNEMENT DU DISPOSITIF.UNE PREMIERE COUCHE DE PASSIVATION 10 EN MATERIAU ELECTRO-ISOLANT QUI PEUT ETRE CONSTITUEE PAR UNE COMBINAISON DE COUCHES, RECOUVRE TOUT LE BORD DE LADITE JONCTION SUR LADITE SURFACE. UNE SECONDE COUCHE DE PASSIVATION 12 EST PREVUE SUR LADITE SURFACE PRINCIPALE ET CONFINE A UNE PARTIE DE LA REGION 2, EST ESPACEE DE L'EXTREMITE DE LADITE JONCTION P-N ET S'ETEND LATERALEMENT AUTOUR DE TOUTE L'EXTREMITE. CETTE SECONDE COUCHE DE PASSIVATION EST EN MATERIAU SEMI-ISOLANT SUFFISAMMENT CONDUCTEUR POUR BLINDER LA SURFACE DE LA PARTIE SOUS-JACENTE DE LADITE REGION 2 CONTRE LES EFFETS DE LA CHARGE ELECTRIQUE EXTERNE.APPLICATION: NOTAMMENT AUX DIODES, TRANSISTORS ET THYRISTORS. |
