| 主权项 |
1﹒控制莠草之方法,该方法包括将一除草有效量之下式化合物或其立体化学异构型式,或其盐类,施用于莠草上或其生长地点,其中R1为氢或巯基;L为氰基或下式之基每一R各自独立为氢或C1-C4烷基;E为-NR-;R4为三氟甲基;G为氢,硫或=NR;G1为氧;D为硫,-N(R3)-,-N(R3)-NH-,N(R3)-O-,R2及每一R3各自独立为氢,C1-C5烷基,C3-C5烯基,C3-C5炔基,C3-C7环烷基或被苯基,羟基或C1-C4烷氧羰基所取代之C1-C4-烷基,或,R2或R3与其所连接之氮原子一起可为啶基,咯烷基,吗基,硫代吗基,咪唑基或基,其选择地于4-位置被C1-C5烷基,C1-C5烷基羰基或单一及二-C1-C5烷胺基羰基所取代,且该由R2及R3衍生出之环状基分别可选择地被1至3个C1-C5烷基所取代;R5为苯基;或R5为式-N=CR14R15基;或被-NR16R17,-NR16-CO-R17,羟基,-O-CO-R16,C3-C7环烷基,-CO-R16,-S(O),R19或PO(OR16)R22所取代之C1-C6-烷基;或R5为被1或2个各自独立选自-CN及-COOR16之基团取代的C1-C6烷基;或R5为被卤素取代之C1-C6烷基;R14为C1-C6烷基;R15为C1-C6烷基;或R14及R15一起可形成C1-C4烷二基;基;R19为C1-C6烷基;R22为C1C6烷氧基;m为0;X为1-满基,1-四氢基,4-四氢苯并嗯基,9H-芴-9-基,其分别为未经取代或被选自包括C1-C5烷基,苯基C1-C4烷基及卤素之取代基所取代,其中二个该等取代基一起可形成C1-C5烷二基;或X为下式之基R16及R17各自独立为氢,C1-C6烷基;或R16及R17一起可形成C3-C6烷二其中n为O或1;Y为-CH2O-或-CH2-S(O)m-,其中,该杂原子系连接于苯环之碳原子上,且其中,m为0;R6及R7各自独立为氢或C1-C5烷基;或R6及R7一起可形成C1-C5烷二基;R10及R11各自独立为氢或卤素;A为氢,C3-C7环烷基,选择地被苯基取代之C1-C7烷基,或同时被一个C1-C4烷氧基及苯基取代之C1-C4烷基,或烷基或苯基;Z为苯基,其为未经取代或被1或2个各自独立选自C1-C4烷基及卤素之取代基所取代。2﹒如申请专利范围第1项之方法,其系用来选择地控制有用植物作物中之莠草。3﹒如申请专利范围第2项之方法,其中之作物为稻米,王米或榖类。4﹒如申请专利范围第2项之方法,其中作物为稻米且该稻米为移作稻米。5﹒如申请专利范围第3项之方法,其中系将每公顷0﹒01至5﹒0公斤之活性成份施用于稻米作物生长之区域。6﹒如申请专利范围第5项之方法,其中系于稻苗移作后施用每公顷0﹒05至1公斤之活性成份。7﹒如申请专利范围第1项之方法,其中L为氰基,式-C(=O)-D-R2或-COOR5之基。8﹒如申请专利范围第7项之方法,其中D为-N(R3)-O-且R2为氢,C1-C5烷基,羟基-C1-C4烷基,C3-C7环烷基,C3-C5烯基或C3-C4炔基且R3为氢或C1-C5烷基;且R5为苯基,或式-N=CR14R15之基,其中R14及R15各自独立为C1-C6烷基;或被二-C1-C6烷氧基膦醯,胺基,氰基,羧基或C1-C5烷氧羰基所取代之C1-C6烷基,或被1至3个卤素取代之C1-C6烷基。9﹒如申请专利范围第8项之方法,其中R1为氢,X为2,3-二氢-2,2-二甲基-1H--1-基,2,2-二甲基甲氢基,2,3-二甲基-色满-4-基或2-甲基-色满-4-基。10﹒如申请专利范围第7项之方法,其中化合物为N-甲基-1-(1,2,3,4,-四氢-1-基)-1H-咪唑-5-羧醯胺,1-(2,3-二氢-2,2-二甲基-1H-基)-1H-咪唑-5-羧醯胺或N-甲基-1-(2,3-二氢-2,2-二甲基-1H-基)-1H-咪唑-5-羧醯胺。11﹒一种化合物,其具有如申请专利范围第1项之式(Ⅰ)结构,其立体化学异构型式,或其盐类;但(i)当X为1-苯基-1-乙基时,则L不为氰基;CONH2;或cOOR5,其中R5为单卤素C1-C5烷基;或(ii)当X为满基或1,2,3,4-四氢-1-基时,则L不为COOR5,其中R5为二C1-C5烷基胺基C1-C5烷基。12﹒如申请专利范围第11项之化合物,其中L为氰基,式-C(=O)-D-R2或-COOR5。13﹒如申请专利范围第12项之化合物,其中D为N(R3)-或-N(R3)-O-且R2为氢,C1-C5烷基,羟基C1-C4-烷基,C3-C7环烷基,C3-C5烯基或C3-C5炔基且R3为氢或C1-C5烷基;且R5为苯基,式-N=CR14R15之基,其中R14及R15各自独立为C1-C6烷基;或被二-C1-C6烷氧基膦醯,胺基,氰基,羧基或C1-C5烷氧羰基取代之C1-C6-烷基,或被1至3个卤素取代之C1-6烷基。14﹒如申请专利范围第13项之化合物,其中R1为氢,X为2,3-二氢-2,2-二甲基-1H--1-基,2,2-二甲基四氢基,2,3-二甲基-色满-4-基或2-甲基-色满-4-基。"15﹒如申请专利范围第11项之化合物,芋@鉹中X物为N-甲基-1-(1,2,3,4,-四氢-1﹛@m基)-1H-咪唑-5-羧醯胺,1-(2,3-二氢-╮@情A2-二甲基-1H-基)-1H-咪唑-5-羧醯胺或╮@陧苭珧礡苠陛苤]2,3-二氢-2,2,二甲基-1H-陛@礡^-1H-咪唑-5-羧醯胺。16﹒除草组合物,其包含一惰性载体及,若有必要,其他佐剂,及作为活性成份之除草有效剂量之如申请专利范围第1项之式(Ⅰ)化合物。17﹒如申请专利范围第16项之组合物,其中活性成份为如申请专利范围第11项之式(Ⅰ)化合物。18﹒如申请专利范围第16项之组合物,其中L为氰基,式-C(=O)-D-R2或-COOR5基。19﹒如申请专利范围第18项之组合物,其中D为-N(R3)-或-N(R3)-O-且R2为氢,C1-C5烷基,羟基C1-C4-烷基,C3-C7环烷基,C3-C5烯基或C3-C5炔基且R3为氢或C1-C5烷基;且R5为苯基,式-N=CR14R15之基,其中R14及R15各自独立为C1-C6烷基;或被二-C1-C6烷氧基膦醯,胺基,氰基,羧基或C1-C5烷氧羰基取代之C1-C6烷基,或被1至3个卤素取代之C1-C5烷基。20﹒如申请专利范围第19项之组合物,其中R1为氢,X为2,3-二氢-2,2-二甲基-1H--1-基,2,2-二甲基四氢基,2,3-二甲基-色满-4-基或2-甲基-色满-4-基。21﹒如申请专利范围第16项之组合物,其中化合物为N-甲基-1-(1,2,3,4-四氢-1-基)─1H-咪唑-5-羧醯胺,1-(2,3-二氢-2,2-二甲基─1H-基)-1H-咪唑-5-羧醯胺或N-甲基-1-(2,3-二氢-2,2-二甲基-1H-基)-1H-咪唑-5-羧醯胺。22﹒制备如申请专利范围第11项之式(Ⅰ)化合物的方式,其特点在于A)将下式化合物其中,X及L具如申请专利范围第1项之定义,用甲酸之C1-C4烷酯于-硷之存在下于一反应惰性溶剂中进行缩合;且将产生之下式中间体其中,X及L具如申请专利范围第1项之定义,且M为硷金属原子,用异硫氰酸硷金属盐于一酸之存在下予以处理,由是得到下式2-巯基咪唑其中,X为L具如申请专利范围第1项之定义,藉着将(Ⅰ-a)起始化合物与硝酸,适当地于亚硝酸硷金属盐之存在下进行反应,或与院来镍于一低级脂族醇之存在下进行反应(于介于40℃至80℃之间之温度下进行);亦可用一水性过氧化氢溶液,较好于一羧酸之存在下,予以处理,而适当地转化成下式化合物其中,X及L具如申请专利范围第1项之定义,或用具1至3个碳原子之羧酸醯胺,较好为甲醯胺,于一酸之存在下,于介于50℃至250℃之间之温度下,较好为介于120℃至170℃之间,予以处理;或用过量碳酸铵或碳酸氢铵于一适当溶剂中(其可为一反应惰性溶剂或一酸),于介于20℃至200℃之间之温度下,较好为介于25℃至反应混合物之回流温度之间,予以处理;)B)将下式之经活化衍生物其中,R1,G及X具如如申请专利范围第1项之定义,且T为反应性释离基,与硫醇或式H—D—R2之胺,或与式H—O—R5之醇,于一反应惰性溶剂中,选择地于一硷之存在下,进行反应,由是制得式(Ⅰ)化合物,其中L为—C(=G)-D-R2或-C(=G1)—OR5基;且,如果想要,将化合物依据以下官能基转换反应互相转换;a)将下式咪唑基羰基化合物其中X及R1定义如如申请专利范围第1项,与式H-D-R2硫醇或胺,于反应惰性溶剂中,选择地于硷存在下,反应,如此制得其中L为-C(=O)-D-R2基之式(Ⅰ)化合物;b)将下式衍生物其中R1及X定义如如申请专利范围第1项,与C1-C6烷基异氰酸酯,于反应惰性溶剂中在室温下,反应,如此制得下式化合物c)将下式羧醯胺其中X、R1.R2及R3定义如如申请专利范围第1项,与2,4-双(4-甲氧基苯基)-2,4-二硫醚-1,3,2,4-二二磷塔(dithiaphosphetane),于反应惰性溶剂中在高温下反应,如此制得下式相应硫代醯胺d)将下式羧醯胺其中X及R1定义如申请专利范围第1项,于脱水剂存在下在反应惰性溶剂中,脱水,如此制得其中L为氰基之式(Ⅰ)化合物;e)将下式化合物其中R1及X定义如如申请专利范围第1项且Alk为C1-C5烷基,于脱水剂存在下在室温下,环化,如此制得下式化合物f)将下式氰基化合物其中X及R1定义如申请专利范围第1项,与羟胺或其盐,于硷存在下在醇溶剂水溶液中,反应,如此制得下式偕胺g)将下式氰基化合物其中X及R1定义如申请专利范围第1项,与硷金属或硷土金属叠氮化物,于反应惰性溶剂中在高温下,反应,如此制得下式四唑基衍生物h)将下式氰基化合物其中X及R1定义如申请专利范围第1项,与式H2N一Alk一NH2二胺(其中Alk为C2或C3一烷基),于银盐存在下,反应,如此制得下式化合物i)将下式偕胺其中X及R1定义如申请专利范围第1项,与三氟乙酸,于反应惰性溶剂中在室温下,反应,如此制得下式恶二唑且如果再想要,将式(Ⅰ)化合物藉一适当酸或盐处理而转换成一盐型式;或相反地,将该盐用一硷转换成游离硷型式,或用一酸转换成游离酸型式;及/或制备其立体化学异构型式。 |
