SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND RECORDING MEDIUM

摘要

폴리실라잔을 이용한 실리콘 산화막의 막질 향상, 저온화, 미세화나 스루풋 향상을 위한 기술이 요구되고 있다. 본 발명은 저온으로 형성한 산화막에서 막질을 개선하여 양호한 막질을 얻는 것에 의해 LSI의 제조 원가를 저감하는 수단을 제공한다. 실라잔 결합을 포함하는 막이 형성된 기판을 처리실에 수용하는 공정; 과산화수소를 함유하는 처리액을 기화부에 공급하여 처리 가스를 발생시키고 상기 처리 가스를 상기 기판에 공급하는 공정; 및 상기 처리 가스로 처리된 기판에 마이크로파를 공급하는 공정;을 포함한다.