| 发明名称 | 一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法，包括以下步骤：提供一污染颗粒吸附晶圆，所述污染颗粒吸附晶圆包括衬底及生长在所述衬底上的绝缘介质层，所述绝缘介质层表面带有电荷；将所述污染颗粒吸附晶圆放入至工艺腔中的静电吸盘上，所述污染颗粒吸附晶圆的绝缘介质层面向所述静电吸盘；所述绝缘介质层上所带的电荷将静电吸盘上的污染颗粒吸附至所述绝缘介质层上；将所述污染颗粒吸附晶圆从所述静电吸盘上取下并拿出所述工艺腔。本发明方法可一次性非常干净的将静电吸盘上的污染颗粒吸附干净，避免工艺腔在执行工艺过程中因为静电吸盘上存在的污染颗粒而被迫停机维护，有效节约了材料成本和时间成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102485356B | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201010573587.7 | 申请日期 | 2010.12.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 胡平 |
| 分类号 | B08B6/00(2006.01)I;C23C14/00(2006.01)I;C23C16/00(2006.01)I | 主分类号 | B08B6/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法，包括以下步骤：提供一污染颗粒吸附晶圆，所述污染颗粒吸附晶圆包括衬底及生长在所述衬底上的绝缘介质层，所述绝缘介质层表面带有电荷，所述绝缘介质层采用等离子体辅助化学气相沉积方法制备得到；将所述污染颗粒吸附晶圆放入至工艺腔中的静电吸盘上，所述污染颗粒吸附晶圆的绝缘介质层面向所述静电吸盘；所述绝缘介质层上所带的电荷将静电吸盘上的污染颗粒吸附至所述绝缘介质层上；将所述污染颗粒吸附晶圆从所述静电吸盘上取下并拿出所述工艺腔。 | ||
| 地址 | 100176 北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||