发明名称 临限电压补偿电流源装置
摘要 一种临限电压补偿电流源装置,适用于一既定偏压、一既定偏压电流、一第一既定电压、一第二既定电流、一第一参考电压以及一第二参考电压,以输出乱定电流,而上述临限压补偿电流源装置包括:一电流源MOS电晶体,具有一闸极端、一第一端以及一第二端,且上述电压源MOS电晶体的第一端线合至上述第一既定电压,而其闸极端受上述既定偏压而由其第二端输出上述既定电流;其特征在于:一第一MOS电晶体,具有一闸极端、一第一端以及一第二端,且上述第一MOS电晶体的闸极端及第一端耦合至上述电流源MOS电晶体的闸极,而其第二端耦合至上述第一参考电压,以供给上述既定偏压至上述电述源MOS电晶体的闸极;以及一第二MOS电晶体,具有一闸极端、一第一端以及一第二端,且上述第二MOS电晶体的第二端耦合至上述第二既定电压,而其闸极端耦合至上述第二参考电压,同时其第一端耦合至上述第一MOS电晶体的第一端及闸极端,以供给上述既定偏压电流至上述第一MOS电晶体。
申请公布号 TW230284 申请公布日期 1994.09.11
申请号 TW083102293 申请日期 1994.03.16
申请人 行政院国家科学委员会 台北巿和平东路二段 一○六号十八楼 发明人 吴重雨;秦旭沅
分类号 H03M1/66 主分类号 H03M1/66
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种临限电压补偿电流源装置,适用于一既定偏压、一既定偏压电流、一第一既定电压、一第二既定电压、一第一参考电压以及一第二参考电压,以输出既定电流,而上述临限电压补偿电流源装置包括:一电流源 MOS 电晶体,具有一闸极端、一第一端以及一第二端,且上述电压源MOS 电晶体的第一端耦合至上述第一既定电压,而其闸极端受上述既定偏压而由其第二端输出上述既定电流;其特征在于:一第一 MOS 电晶体,具有一闸极端、一第一端以及一第二端,且上述第一 MOS 电晶体的闸极端及第一端耦合至上述电流源 MOS 电晶体的闸极,而其第二端耦合至上述第一参考电压,以供给上述既定偏压至上述电流源 MOS 电晶体的闸极;以及一第二 MOS 电晶体,具有一闸极端、一第一端以及一第二端,且上述第二 MOS电晶体的第二端耦合至上述第二既定电压,而其闸极端耦合至上述第二参考电压,同时其第一端耦合至上述第一MOS电晶体的第一端及闸极端,以供给上述既定偏压电流至上述第一MOS 电晶体。2.如申请专利范围第1项所述之临限电压补偿电流源装置,其中,上述第一 MOS 电晶体及第二 MOS 电晶体分别为NMOS 电晶体及 PMOS 电晶体,且其第一端及第二端分别为汲极端及源极端。3.如申请专利范围第1或2项所述之临限电压补偿电流源装置,其中,上述电流源MOS 电晶体为 NMOS 电晶体,且其第一端及第二端分别为汲极端及源极端。第1图系显示习知互补式金氧半数位类比转换器的电路图;第2图系显示第1图中所示之切换式电流源的电路图;第3图系显示本发明之临限电压补偿电流源装置的电路图;第4图(a)及(b)系分别显示第2图及第3图所示电流源经 SPICEMonte Carlo 模拟结果的曲线图;以及第5图系显示利用第3图所示本发明之电流源装置所构成的数位类比转换器
地址 台北巿和平东路二段一○