一种模拟开关

摘要

本实用新型公开一种模拟开关，N沟道场效应管Q1漏极和P沟道场效应管Q2漏极连接后经电阻R1接至电源正端，沟道场效应管Q1源极经电阻R2接地，N沟道场效应管Q1栅极经并联电容C1和二极管D1接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2栅极经并联电容C2和二极管D2接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2源极经电阻R3接地；N沟道场效应管Q1’漏极和P沟道场效应管Q2’漏极连接后经电阻R1’接至电源负端，沟道场效应管Q1’源极经电阻R2’接地，N沟道场效应管Q1’栅极经并联电容C1’和二极管D1’接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2’栅极经并联电容C2’和二极管D2’接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2’源极经电阻R3’接地。本实用新型使用四个场效应管及辅助元件，可以构成比较理想低频开关。

主权项

一种模拟开关，其特征在于，包括N沟道场效应管Q1、P沟道场效应管Q2及N沟道场效应管Q1’和P沟道场效应管Q2’，其中：N沟道场效应管Q1的漏极和P沟道场效应管Q2的漏极连接后经电阻R1接至电源正端，沟道场效应管Q1的源极经电阻R2接地，N沟道场效应管Q1的栅极经并联的电容C1和二极管D1接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2的栅极经并联的电容C2和二极管D2接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2的源极经电阻R3接地；N沟道场效应管Q1’的漏极和P沟道场效应管Q2’的漏极连接后经电阻R1’接至电源负端，沟道场效应管Q1’的源极经电阻R2’接地，N沟道场效应管Q1’的栅极经并联的电容C1’和二极管D1’接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2’的栅极经并联的电容C2’和二极管D2’接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2’的源极经电阻R3’接地。