| 摘要 |
본 발명은 게이트 금속층, 게이트 절연층(GI), 반도체층, 소스/드레인 금속층, 하부 보호층, 공통 전극층, 상부 보호층 및 화소 전극층이 순차적으로 형성되는 어레이 기판에서, 최상위 화소전극 리워크 공정시 점핑용 보호층 개구홀 영역을 보호하는 리워크 마스크를 이용함으로써, 최상위 화소전극층 리워크 공정 이후에도 점핑용 보호층 개구홀 영역에서 공통전극패턴과 리워크용 화소전극패턴의 전기적 연결상태를 유지하여 리워크 공정에 따른 불량 발생과 수율 감소 현상을 감소시킬 수 있다. |
