蚀刻装置

摘要

本发明系一种蚀刻装置，其课题为实现兼具高选择性，高控制性，及高处理量之蚀刻装置。;解决手段为准备：具备处理室(21)，反应种之供给部，和真空紫外光照射用灯(43)之蚀刻装置。在此蚀刻装置中，经由反覆进行使反应种吸附于晶圆(13)表面而形成反应生成物之第1工程，和经由真空紫外光照射用灯(43)而照射真空紫外光于晶圆(13)表面，使反应生成物脱离之第2工程，和将所脱离之反应生成物进行排气之第3工程之时而可进行蚀刻之故，可省略对于晶圆(13)的冷却所需之时间者。