| 发明名称 | 用于处理磁结构的工艺 | ||
| 摘要 | 处理磁结构的工艺，其特征在于，包括以下步骤：提供(S10)包括至少一层含钴铁硼(CoFeB)合金的第一磁性材料层的磁结构；用低能轻离子辐射(S20)磁结构；以及用预设温度曲线和预设的时间来保持(S30)磁结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105164828A | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201480010664.4 | 申请日期 | 2014.02.21 |
| 申请人 | 国家科学研究中心;巴黎第十一大学 | 发明人 | 达菲内·拉维洛索纳 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;C23C18/50(2006.01)I;H01F41/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 | 代理人 | 童锡君 |
| 主权项 | 用于处理磁结构(100)的工艺，其特征在于，包括以下步骤：‑提供(S10)磁结构(100)，所述磁结构包括至少一层含有钴铁硼(CoFeB)合金的第一磁性材料层(102)；‑用低能轻离子辐射(S20)所述磁结构(100)；以及，‑用预设温度曲线和预设时间来同时保持(S30)磁结构(100)。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||