单闸源极共线之非挥发性记忆体及其操作方法

摘要

一种单闸源极共线之非挥发性记忆体及其操作方法，此非挥发性记忆体是在半导体基底内嵌电晶体及电容结构，电晶体包括第一介电层、第一导电闸极与数个第一离子掺杂区，而电容结构则包括第二介电层、第二离子掺杂区与第二导电闸极，其中第二介电层下方可更设有第三离子掺杂区，且第一导电闸极与第二导电闸极相电连接而形成记忆胞之单浮接闸极，源极与第二离子掺杂区亦相电连接，而使源极与单浮接闸极共线，除了大幅减少记忆胞的面积，并可减少控制线路，从而大幅减少非挥发性记忆体的成本。