发明名称 METHOD FOR FABRICATING VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR
摘要 <p>본 발명은 수직 채널 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 제1 수평 방향으로 연장되는 라인 형태의 활성 패턴을 형성하고, 상기 활성 패턴을 상기 제1 수평 방향과 교차하는 제2 수평 방향으로 분리하여 상기 기판 상에서 수직 방향으로 연장되는 수직 채널을 형성하고, 상기 기판 상에 상기 제1 수평 방향으로 연장되는 매립 비트라인을 형성하고, 상기 수직 채널의 적어도 일측면을 따라 상기 제2 수평 방향으로 연장되는 워드라인을 형성하는 것을 포함할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101577411(B1) 申请公布日期 2015.12.15
申请号 KR20090125624 申请日期 2009.12.16
申请人 삼성전자주식회사 发明人 김강욱;오용철;김희중;정현우;김현기
分类号 H01L21/336;H01L21/768;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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