发明名称 藉由雷射能量辐射一半导体材料表面的方法与设备
摘要
申请公布号 TWI512794 申请公布日期 2015.12.11
申请号 TW099110779 申请日期 2010.04.07
申请人 欧洲雷射系统解决方案公司 发明人 温特维尼 茱利安;都泰斯 希瑞尔;布奇亚 马克;高达德 布鲁诺
分类号 H01L21/263;B23K26/06 主分类号 H01L21/263
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种辐射半导体材料之方法,其包括:选择一半导体材料层表面之一区域,该区域具有一区域尺寸;利用具有一光束点尺寸之一准分子雷射来辐射该半导体材料层表面之该区域;及藉由该光束点尺寸可变地匹配于选定的该区域尺寸而调整该光束点尺寸;该方法之特征为藉由改变其影像形成于该半导体材料层表面上之一可变孔隙的尺寸及形状而匹配该光束点尺寸。
地址 法国