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经营范围
发明名称
射频(RF)天线、其形成方法及离子源
摘要
申请公布号
TWI513376
申请公布日期
2015.12.11
申请号
TW102132102
申请日期
2013.09.06
申请人
瓦里安半导体设备公司
发明人
普拉托 威尔汉P;钱尼 奎格R
分类号
H05H7/02
主分类号
H05H7/02
代理机构
代理人
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项
一种射频(RF)天线,包括:一低阻值的金属管,具有一内径及一外径;一低摩擦的高分子管,具有一内径及一外径,该高分子管包围低阻值的该金属管,该高分子管的该内径大于低阻值的该金属管的该外径;以及一预成形石英玻璃管,容纳低摩擦的该高分子管及低阻值的该金属管,其中该低摩擦的高分子管与该低阻值的金属管插入于该预成形石英玻璃管内且其中该低摩擦的高分子管与该低阻值的金属管沿着该预成形石英玻璃管的内部迹线延伸。
地址
美国
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